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院系/所/中心（School）

信息工程學院

項目組負責人（Head of research group）

孫蕭蕭

項目組研究專業(yè)/方向（Department/Area）

寬禁帶半導體

年薪標準(Annual Salary)

北京大學深圳研究生院待遇：

待遇面議；

按照相關規(guī)定繳納五險一金。

職位描述(Position Description)

主要負責氮化鎵（GaN）電子器件的流片工藝及測試工作：

工藝制備：負責微納加工超凈間內(nèi)的關鍵工藝操作（包括但不限于：光刻、ICP/RIE刻蝕、電子束蒸發(fā)/磁控濺射鍍膜、快速熱退火、濕法清洗等）；

工藝維護：負責器件制備流程的優(yōu)化，解決流片過程中出現(xiàn)的技術問題，提高器件良率；

測試表征：負責半導體器件的電學性能測試（IV、CV、擊穿電壓等）及結構表征（SEM、臺階儀、顯微鏡等）；

數(shù)據(jù)管理：負責實驗數(shù)據(jù)的記錄、整理與歸納，定期匯報實驗進度；

設備協(xié)作：完成團隊交辦的其他科研輔助工作。

申請人基本條件(Basic Qualifications)

1.具有全日制本科及以上學歷，微電子、半導體物理、光電信息、材料科學等相關專業(yè)；

2.品學兼優(yōu)，身心健康，具有良好的政治思想素質(zhì)和道德品質(zhì)；

3.工作積極主動，善于溝通，注重團隊合作。

申請人附加條件(Additional Qualifications)

1.擁有超凈間工作經(jīng)驗者優(yōu)先；

2.熟悉半導體微納加工工藝（黃光、刻蝕、鍍膜等）者優(yōu)先；

3.有氮化鎵HEMT或其他功率/射頻器件制備經(jīng)驗者極佳；

4.動手能力強，工作細致耐心（工藝細節(jié)決定成?。哂辛己玫膱F隊合作精神和溝通能力。

申請材料（Applicant Documents）

1.個人簡歷（包括個人概況、學習工作履歷）；

2.能夠證明個人能力的相關材料。

聯(lián)系人（Contact Information）

（點擊查看），請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，應聘者請?zhí)峁┮陨仙暾埐牧习l(fā)送至郵箱，郵件標題請注明：“應聘xx崗位+畢業(yè)院校+專業(yè)+姓名+計劃到崗時間”。

備注（Remark）

截止時間（Due Date）

擬招聘1名，招聘名額用完為止。